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ID2006 200V半桥驱动芯片

品牌:芯朋微/安趋
型号:ID2006SEC-R1
封装:SOP8
功率:6V~18V
电流:1A/1A
订购热线:0755-23087599
  ID2006芯片是一款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至33V。具有大电流输出能力。
  
  ID2006芯片特性  
  ■ 高侧浮动偏移电压200V  
  ■ 输入逻辑兼容3.3V/5V  
  ■ dV/dt抗干扰能力±50V/nsec  
  ■ 芯片工作电压范围6V~18V  
  ■ 拉/灌电流能力典型值1A/1A  
  ■ VS负偏压能力典型值-9V

  id2006驱动芯片封装及引脚
  
  驱动芯片id2006工作原理图
  
  备注1:RB值建议使用10Ω,BSD采用超快恢复或肖特基二极管。  
  备注2:CBS值根据PWM控制条件而定。  
  备注3:驱动电路应根据所使用的MOSFETs进行调整。  
  备注4:MOSFETs栅极和源极之间的下拉电阻,建议为10kΩ。  
  备注5:HIL/LIN和MCU之间的电阻器,建议值为100-1kΩ。
  
  应用领域  
  ■ 中小型功率电机驱动  
  ■ 功率MOSFET驱动  
  ■ 半桥功率逆变器  
  ■ 全桥功率逆变器  
  ■ 任意互补驱动转换器
  
  ID2006 200V半桥驱动芯片是高低侧半桥驱动芯片,具有防直通功能、输入功率电压高达 200V, 6-18V 宽范围工作电压范围、1A/1A 拉灌电流能力、输入兼容 3.3V, 5V 逻辑工作电平,典型应用于电动车、电动平衡车等领域,更多id2006驱动芯片产品手册及应用资料请向og电子申请。>>
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